半导体晶棒切片切割液技术配方
在晶棒切片过程中，由于强机械力的作用，硅片边沿容易出现微裂、崩边和应力 集中点，硅片表面也存在应力分布不均和损伤，这些缺陷是造成IC制造中产生大量滑 移线、外延层错、滑移位错、微缺陷等二次缺陷以及硅片、芯片易破裂的重要因素。 晶棒切片中存在的损伤和应力的问题已经成为微电子工业继续发展的障碍，线切割工 艺中克服线锯的晃动、提高其稳定性，对降低硅片表面损伤、特别是表面较粗糙的缺 陷具有重要作用，但选择性能优良的线切割液更是减小或避免上述问题的重要途径。
华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项半导体晶棒切片切割液技术配方，该技术产品能有效降低表面张力、减少摩擦力，切割片薄，成品率明显优于 其它切割润滑产品，现将该半导体晶棒切片切割液技术配方及实例介绍如下供研究参考：（811511 231675）
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该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，
包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，
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