硅片超声波清洗剂技术配方

随着大规模集成电路的发展，集成度的不断提高，线宽的不断减小，对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。半导体器件生产中硅片须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效，清洗的目的在于清除硅片表面污染杂质，包括有机物和无机物，这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面，会导致各种缺陷。

超声波清洗由于其清洗效率高、能够节约药液等特点在在湿法工艺中得到了广泛的应用，超声波在湿法清洗工艺中的原理，主要是高频振荡信号通过换能器转换成高频机械振荡而传播到清洗药液中，声波在液体中是以正弦曲线纵向传播，强弱相间，弱的声波会对液体产生一定的负压，使得液体体积增加，液体中的分子空隙增大，形成许多微小的气泡，而当强的声波信号作用于液体时，则会对液体产生一定的正压，即液体体积被压缩减小，当液体中气泡的破裂会产生能量极大的冲击波，从而起到清洗的作用。

华炬新产品研究所技术咨询委员会技术人员现推荐一项硅片超声波清洗剂技术配方，该技术产品是一种以解决现有硅片采用浸泡、喷淋的清洗方式，清洗效果差、清洗不够彻底、影响成品率及产品质量的问题的一种硅片清洗技术产品，能够有效的去除附着在硅片表面的杂质，确保硅片表面的清洁度，从而大大提高了成品率，有效保证了产品的质量。现将硅片超声波清洗剂技术配方及使用方法介绍如下供研究参考：（811511  231553）

该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，鉴于技术配方的特殊性不接受退款，请根据需要斟酌后支付，谢谢。