锗晶片精抛锗抛光液技术配方及方法
随着太阳能光伏产业的发展，锗抛光片为衬底的三结太阳能电池因其光电转化率高、 抗辐射阈值比硅电池高和性能衰退小，被各国越来越多地运用到空间供电电源中。目前，全球在空间供电电源中，采用以锗晶片为基板的砷化镓太阳能电池已超过80％。化合物太阳能电池在外延工艺中需要生长多层晶体材料，并且是异质结生长，容易产生晶格畸变。因此，化合物太阳能电池对Ge单晶抛光片的表面质量提出了较为苛刻的要求。CMP 作为一种被广泛应用的全局平坦化技术大大提高了锗晶片表面的平整度。作为CMP工艺的基础-抛光液，其质量好坏直接决定了抛光物体的表面质量。
目前关于抛光液的使用很普遍，其磨料单一，抛光效率较低，抛光质量，抛光过程中抛光液的pH稳定性都是需要研究的技术问题。华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项锗晶片精抛锗抛光液技术配方及方法，该技术产品锗抛光液的优点是采用双峰粒径硅溶胶，可同时实现锗晶片的粗抛与精抛，兼顾速率与表面平整度。同时高pH值稳定性确保了连续抛光3h后pH变化范围 ＜0.3，大大延长了抛光液的使用寿命，现将该锗晶片精抛锗抛光液技术配方及方法实例介绍如下供研究参考：（611511 463554）
技术资料
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该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，
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