盐干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗技术方法

种子萌发是植物生活史中的重要阶段，决定着幼苗能否存活以及此后群落的建成。但是在自然环境下，由于甘草种子种皮较厚而抑制发芽，导致甘草种子自然萌发率为10％～20％。此外，甘草栽培区以干旱半干旱地区为主，在甘草种子萌发的敏感阶段极易遭受旱盐胁迫，导致种子难以发芽出苗，甚至出现大面积的烂种烂芽，最终引起产量的下降。西北地区甘草发芽率、幼苗质量低下的问题函需解决。种子处理的根本目标是减轻植物种子发芽和幼苗生长时环境中的生物和非生物压力。硅是是植物生长发育的有益元素，更是一种环境友好型元素。许多研究表明外源硅能有效改善许多植物在盐胁迫或者干旱胁迫下的生长状况，提高其抗旱耐盐性。综合前人的研究结果，硅提高植物对非生物胁迫的抗性主要归因于两种作用机理：首先，硅从根系运输到地上部分以后沉积在叶片角质层以下，形成一种角质层-硅的双分子层，这会形成一个机械障碍防止外界刺激。此外，硅可以调控植物本身的生理生化机制，提高其抗逆性。另外一种作用机制也越来越多的受到重视，在胁迫条件下硅可以作为一种调控因子来调节相关基因的表达从而增强植物对胁迫的抗性。这些机理也是本发明提出的原理和依据所在。因此，提出了一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法。

华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项盐干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗技术方法，该技术显示：旱盐胁迫对照与加硅处理相比，硅处理显著提高了甘草种子的发芽率、发芽指数及幼苗活力指数，水培发芽模式下，硅处理甘草种子的发芽率、发芽指数、幼苗活力指数与相应浓度旱盐胁迫对照相比分别提高了9.09％-900％、-3.09％-1000％和-30.91％-563.64％。这种提高作用大小因胁迫程度不同而不同，一般在轻度(S1)和中度(S2)盐环境下，随着旱盐双重胁迫程度的加剧，硅的提高作用大小也不断增加；而在重度盐(S3)环境下，对着干旱胁迫程度的加剧，硅的提高作用逐渐降低，现将该盐干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗技术方法及实例介绍如下供研究参考：（441411  651553）

该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，
包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，
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