高纯度纳米金刚石抛光液及其制备方法

最初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。其中抛光液是必不可少的材料之一。 

华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项高纯度纳米金刚石抛光液及其制备方法，该技术产品采用表面改性剂对金刚石微粉进行机械化学改性，然后加入分散剂使纳米金刚石在溶液中分散均匀，使制得的抛光液具有良好的分散稳定性；该技术产品具有较高的磨削速度，能够防止抛光表面在抛光的过程中不产生划痕、黑点、粒子残留等表面缺陷；该技术产品可以将产品的表面粗糙度降低到0.1-0.5nm，具有抛光效果好的特点，现将该高纯度纳米金刚石抛光液及其制备方法介绍如下供研究交流参考：（611541  415254）

该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，
包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，
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