一种高清洁度硅磨片专用清洗剂配方

随着超大规模集成电路的发展，集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小，对硅衬底表面洁净度的要求也更加严格，硅片清洗在半导体工业的重要性早已引起人们的高度重视，超大规模集成电路工艺要求在提供的衬底片上吸附物不多于500个/m2×0.12μm，金属污染小于1010atom/cm2。硅衬底表面的污染物将会严重影响硅衬底局部的物理性质和电学性质，并最终影响到集成电路的成品率。硅片生产中每一道工序存在的潜在污染，都可能导致缺陷的产生和器件的失效。在超大规模集成电路的制造工艺中，研磨片的表面状态是以后集成电路平整度保证的基础，由于研磨片所沾污的金刚砂比较多而且同时在研磨过程中许多硅粉从硅片上被研磨下来，这些金刚砂和硅粉将影响以后的器件制造，所以研磨片清洗凸显重要，如果清洗效果不好会直接影响器件的成品率、性能和可靠性。目前，硅研磨片的清洗主要是去除金刚砂和硅粉以及在制造过程中沾染的有机物。其传统方法主要采用RCA清洗中的一号液和三号液，分别采用一号液和三号液进行两步清洗。上述一号液和三号液的缺点为：(1)使用强碱和强氧化剂，这些试剂都具有强腐蚀性，危害人体安全，操作危险。(2)由于分别采用一号液和三号液进行两步清洗、操作步骤多，消耗大量的超纯水和化学试剂，生产成本高。(3)氨水易分解，挥发，有刺激性气味，使用时必须通风，增加了超净空间的维护费用。(4)存在严重的环保问题。

华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项一种高清洁度硅磨片专用清洗剂配方，该技术具有下述技术效果：该技术的硅磨片的清洗剂采用的非离子表面活性剂具有润湿性，能有效的降低溶液的表面张力后，再由渗透剂的渗透作用将颗粒托起，包裹起来。具有较强渗透力的活性剂分子可深入硅片表面与吸附物之间，向深处扩展，如同向界面打入一个“锲子”，起到劈开的作用，可将颗粒托起，活性剂分子取而代之吸附于硅片表面上，同样降低表面能量达到稳定目的，同时颗粒的周围也吸附一层活性剂分子，防止颗粒再沉积。利用超声的机械力使颗粒从磨片表面脱附，而非离子表面活性剂吸附于硅片表面与脱附后的颗粒表面，有效的抑制了颗粒再沉积。该方法能有效的去除金刚砂和硅粉。另外采用胺碱替代了无机碱(氨水)，胺碱不仅能与有机物发生化学反应，而且胺碱能与有机物能互溶，这样有利于去除硅磨片表面的有机物污染，提高产品表面清洁度。2该技术的硅磨片的清洗剂只需要进行一次清洗即可达到清洗要求，把原来需要两步的清洗简化为一步，提高了生产效率。3该技术采用的胺碱与非离子表面活性剂不分解，不挥发，无刺激性气味。4. 该技术中所采用的试剂均能生物降解，故不存在环保问题。5. 该技术不仅采用的化学试剂价格低廉而且在运行中不需要其他的辅助设备，故可达到降低成本的要求，现将该一种高清洁度硅磨片专用清洗剂配方及技术方案实施例介绍如下供研究交流参考：（811511  231695）

该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，鉴于技术配方的特殊性不接受退款，请根据需要斟酌后支付，谢谢。