非水基流延成型制备氮化硅流延膜的方法

随着电子元件的小型化及大规模集成电路的迅速发展，对作为集成电路重要支柱的陶瓷基片提出了更高的要求。在某些特殊的领域，不但要求该陶瓷基片具有良好的导热性能，而且具有更高的强度。目前广泛采用的陶瓷基片材料主要是A12O3，但Al2O3基片具有热导率较低介电常数大、线胀系数与硅元件的线胀系数相差大等缺点，近年来正开发和研究代替氧化铝基片的其它材料，如AlN，BeO，SiC，Si3N4等。其中氮化硅陶瓷基片不但具有高的热导率，而且具有更高的强度。因此，对氮化硅陶瓷基片的研制，将会给电子技术领域，尤其是集成电路的发展带来革命性的影响。陶瓷基片制备的核心技术是高质量基片坯体的成型，目前的成型方法主要有流延、干压、轧膜，而流延法具有生产效率高，易于生产的连续化和自动性，更适用于工业的大规模生产，是理想的陶瓷基板生产技术。流延成型工艺的基本过程是把粉体、溶剂、增塑剂、粘结剂、分散剂均匀混合成浆料，经由刮刀口，形成表面光滑，厚度均匀的薄膜，经干燥制成具有良好韧性的坯片。而稳定的高固含量的浆料是流延成型出密度高且均匀的、结构性能优良的坯体的前提，因此想要得到综合性能优良的坯体前提就是要有探寻含有合适比例的粉体、溶剂、分散剂、増塑剂和粘结剂的浆料配方，来解决氮化硅流延成型浆料的难于配制的问题。

华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项非水基流延成型制备氮化硅流延膜的方法，该技术的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种氮化硅陶瓷浆料及其制备方法和制备氮化硅流延膜的应用，制备的氮化硅陶瓷浆料可流延成型得到平整、均一、致密且柔顺的陶瓷素坯，利于后期素坯成型加工及烧结，该技术流延成型用陶瓷浆料配置工艺过程简单，易于大批量生产。该技术采用流延成型工艺，工艺操作简单，易于实现大批量生产，容易实现工业化应用，并且生产成本可以降低30％以上，与其他现有方法制备的致密氮化硅陶瓷材料和致密异形氮化硅陶瓷材料相比，该技术制备的氮化硅陶瓷和致密异形氮化硅陶瓷材料的密度高，强度高，可设计性好，可加工性能优越，烧结厚度可控，在以氮化硅素坯为基础条件下，可以制备大尺寸高密度氮化硅陶瓷材料和致密异形氮化硅陶瓷材料，采用本发明陶瓷浆料制备的氮化硅陶瓷素坯的可加工性能好，可进行裁剪、弯曲、粘结、印刷以及印刷等操作，同时，采用该技术陶瓷浆料，对于制备异形氮化硅陶瓷材料，可以满足诸如高温螺栓、工具模绝缘高温体、雷达天线罩、导弹尾喷管等部件的使用需求，应用范围广泛现将该非水基流延成型制备氮化硅流延膜的方法及实施例介绍如下供研究交流参考：（871311  241497） 

该项目由华炬新产品研究所技术咨询委员会多位专家根据目前国内该领域最新技术推荐的新技术、新产品、新工艺，包括技术工艺、技术创新、技术配方、方法步骤及实例等方面的推荐，供同仁参考交流，鉴于技术配方的特殊性不接受退款，请根据需要斟酌后支付，谢谢。