一种硅片清洗液配方及清洗方法步骤
目前，在半导体制造工艺中，磨片后背面金属化之前通常采用去离子水∶氢氟酸(H2O∶HF)的清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的自然氧化层，因为硅片表面无自然氧化层，是生长高纯外延薄膜和MOS电路栅极超薄氧化物的关键。经氢氟酸浸泡之后，硅片表面完全被氢原子终止，在空气中具有很高的稳定性，避免了再氧化。然而，磨片后的硅片上会存有少许有机物沾污，而现有H2O∶HF清洗液不能有效去除有机物沾污，不仅导致金属化后金属层粘和不好，而且会降低栅氧化层材料的致密性。
华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项一种硅片清洗液配方及清洗方法步骤，该技术的硅片清洗液及其清洗方法，由于采用的清洗液包含乙醇，能有效清除硅片上的有机物沾污，且不影响氢氟酸清洗自然氧化层的效果，显著提高了氢氟酸清洗硅片的效果，现将该一种硅片清洗液配方及清洗方法步骤及技术方案实施例介绍如下供研究交流参考：（811511 231258）
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